欢迎访问深圳市邦特电子科技有限公司!
技术交流
联系我们
销售热线:
Contact Hotline
15817433505邱生 13510455971易生
传真:0755-27084006

E-mail:mkt@bointe-tech.com

公司地址:深圳市宝安区燕罗街道罗田社区龙山四路4号厂房F栋201
当前位置:首页>技术交流
三相无刷直流BLDC电机控制器中功率MOSFET和IGBT的选择

三相无刷直流BLDC电机控制器中功率MOSFET和IGBT的选择


功率驱动模块选用 IGBT Mosfet 作为功率开关是最常遇到的问题。如果从系统的电压、电流和切换功率等因数来考虑虑IGBT Mosfet 的应用区域可简单的划分如下

 

比较较合适 IGBT 应用的条件硬开关切换):

 

1切换频率低于 25kHz

 

2电流变化较小的负载

 

3输入电压高于 1000V

 

4高温环境

 

5较大输出功率的负载。

 

比较合适 Mosfet 应用的条件硬开关切换):

 

       1切换频率大于 100kHz

 2输入电压低于 250V

3较小输出功率的负载。

根据上述描述可以用下图来更清楚的看出两者使用的条件。图中的斜线部分表示 IGBT Mosfet 在该区域的应用都存在着各自的优势和不足所以 该区域两者皆可选用。而“???”部分表示目前的工艺尚无法达到的水平。对于 中低马力的电动汽车而言其工作频率在 20KHz 以下工作电压在 72V 以下 IGBT Mosfet 都可以选择所以也是探讨比较多的应用。

无标题.png


在线客服1
在线客服2
关注官方微信
15817433505邱生
返回顶部